4нм 12000 об/мин DC 24 в двойной вал электромагнитный гистерезис тормоз имитирует

4нм 12000 об/мин DC 24 в двойной вал электромагнитный гистерезис тормоз

Комплектация:

1x4 нм Тормоз

1X ручной контроллер

Параметры магнитного порошкового тормоза:

Модель: AHB-4M

Крутящий момент:4 нм (0,4 кг)

Напряжение: DC24V

Максимальная скорость: 12000 об/мин